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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IC42S32400-6BI |
| 英文描述： | 1M x 32 Bit x 4 Banks (128-MBIT) SDRAM |
| 中文描述： | 100萬× 32位× 4個(gè)銀行（128兆）內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 52/62頁 |
| 文件大?。?/td> | 899K |
| 代理商： | IC42S32400-6BI |
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IC42S32400
IC42S32400L
52
Integrated Circuit Solution Inc.
DR038-0C 02/01/2005
Figure 18.2.Full Page Read Cycle (Burst Length=Full Page,CAS#Latency=2)
T0
T 1 T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10 T 11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
Ax
Ax+1
Bx
Bx+1
Bx+3 Bx+4
RAx
RAx
Ax+1 Ax+2 Ax-2 Ax-1
x+2
Bx+5
CBx
RBx
CAx
RBy
RBy
Ax
Bx+6
t
CK2
t
RP
RBx
CLK
CKE
CS#
RAS#
CAS#
WE#
BS0,1
A10
A0-A9
DQM
DQ
Hi-Z
Activate
Command
Bank A
Activate
Command
Bank B
Activate
Command
Bank B
Precharge
Command
Bank B
High
Burst Stop
Command
The burst counter wraps
from the highest order
page address back to zero
during this time interval
Read
Command
Bank A
Read
Command
Bank B
Full Page burst operation does not
term in ate when the burst length is sat is fied;
the burst counter increments and continues
bursting beginning with the starting address.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IC42S32400-6BIG | 1M x 32 Bit x 4 Banks (128-MBIT) SDRAM |
| IC42S32400-6T | 1M x 32 Bit x 4 Banks (128-MBIT) SDRAM |
| IC42S32400-6TG | 1M x 32 Bit x 4 Banks (128-MBIT) SDRAM |
| IC42S32400-6TI | 1M x 32 Bit x 4 Banks (128-MBIT) SDRAM |
| IC42S32400-6TIG | 1M x 32 Bit x 4 Banks (128-MBIT) SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IC42S32400-6BIG | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks (128-MBIT) SDRAM |
| IC42S32400-6T | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks (128-MBIT) SDRAM |
| IC42S32400-6TG | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks (128-MBIT) SDRAM |
| IC42S32400-6TI | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks (128-MBIT) SDRAM |
| IC42S32400-6TIG | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks (128-MBIT) SDRAM |
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