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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IC42S16160 |
| 英文描述： | 4M x 16Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| 中文描述： | 4米× 16 × 4銀行（256兆）內(nèi)存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 56/69頁(yè) |
| 文件大小： | 1219K |
| 代理商： | IC42S16160 |
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IC42S16160
56
Integrated Circuit Solution Inc.
DR037-0A 9/05/2003
Auto Precharge after Read Burst (1 of 2)
BS1=”L”, Bank C,D = Idle
T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A10
ADD
DQM
DQ
tCK2
Burst Length=4, CAS Latency=2
Activate
Command
Bank A
Hi-Z
QBa3
QBb0
QAa0 QAa1 QAa2QAa3 QBa0 QBa1
QBb1
Read with
Auto Precharge
Ra
Ra
Ca
Ra
Ca
Cb
Rb
Cb
QAb3
QAb0 QAb1
Activate
Command
Bank B
QBa2
QAb2
Read with
Auto Precharge
Command
Bank A
Activate
Command
Bank B
Read with
Auto Precharge
Command
Bank B
Activate
Command
Bank A
Command
Bank A
Read with
Auto Precharge
Command
Bank B
Rc
QBb2 QBb3
Rb
Rc
Ra
Cc
QAc0
QAc2
Read
Command
Bank A
QAc1
Start Auto Precharge
Bank B
Start Auto Precharge
Bank A
Start Auto Precharge
Bank B
High
*BS0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IC42S16160-6TG | 4M x 16Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| IC42S16160-6TIG | 4M x 16Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| IC42S16160-7TG | 4M x 16Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| IC42S16160-7TIG | 4M x 16Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| IC43R16160 | 4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IC42S16160-6TG | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4M x 16Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| IC42S16160-6TIG | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4M x 16Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| IC42S16160-7TG | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4M x 16Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| IC42S16160-7TIG | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4M x 16Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| IC42S16160B-7TL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
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