BSS138

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型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

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功能描述
MOSFET SOT-23 N-CH LOGIC
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BSS138 技術(shù)參數(shù)

BSS131L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 240V .11A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:240V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:110mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14 歐姆 @ 100mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 56μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:3.1nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:77pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS131H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 240V 0.11A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:240V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:110mA（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 56μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:3.1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:77pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14 歐姆 @ 100mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS131E6327 功能描述:MOSFET N-CH 240V .11A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:240V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:110mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14 歐姆 @ 100mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 56μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:3.1nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:77pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS131 H6327 功能描述:MOSFET N-CH 240V 0.11A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:240V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:110mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14 歐姆 @ 100mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 56μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:3.1nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:77pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS127SSN-7 功能描述:MOSFET N-CH 600V 50MA SC59 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:50mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:160 歐姆 @ 16mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.08nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:21.8pF @ 25V 功率 - 最大值:610mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SC-59 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS138BKVL BSS138BKW,115 BSS138BKW-BX BSS138-D87Z BSS138DW-7 BSS138DW-7-F BSS138DWQ-13 BSS138DWQ-7 BSS138-F085 BSS138K BSS138L BSS138LT1 BSS138LT1G BSS138LT3 BSS138LT3G BSS138N E6433 BSS138N E6908 BSS138N E7854