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BSS138-D87Z

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
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  • 1
BSS138-D87Z PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 50V 0.22A SOT23
  • 制造商
  • on semiconductor
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • Digi-Key 停止供應
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術
  • MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)
  • 50V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 220mA(Ta)
  • 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 4.5V,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 1.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值)
  • 2.4nC @ 10V
  • Vgs(最大值)
  • ±20V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
  • 27pF @ 25V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 360mW(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 3.5 歐姆 @ 220mA,10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應商器件封裝
  • SOT-23-3
  • 封裝/外殼
  • TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 基本零件編號
  • BSS138
  • 標準包裝
  • 1
BSS138-D87Z 技術參數(shù)
  • BSS138BKW-BX 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 320MA SC70 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):320mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.7nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):56pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):830mW(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.6 歐姆 @ 320mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SC-70 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 標準包裝:3,000 BSS138BKW,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):320mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.7nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):56pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):260mW(Ta),830mW(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.6 歐姆 @ 320mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SOT-323-3 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 標準包裝:1 BSS138BKVL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):360mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.7nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):56pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):350mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.6 歐姆 @ 350mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:10,000 BSS138BKS,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):320mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.6 歐姆 @ 320mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):56pF @ 10V 功率 - 最大值:445mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:1 BSS138BK,215 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):360mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.7nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):56pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):350mW(Ta),1.14W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.6 歐姆 @ 350mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 BSS138LT3 BSS138LT3G BSS138N E6433 BSS138N E6908 BSS138N E7854 BSS138N E8004 BSS138N-E6327 BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6433XTMA1 BSS138NL6327HTSA1 BSS138NL6433HTMA1 BSS138P,215 BSS138PS,115 BSS138PW,115 BSS138Q-7-F BSS138TA BSS138TC BSS138W
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