BSR58 T/R

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BSR58 T/R
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3000
原廠品牌
原廠封裝
2007
-
全新原裝100%正品保證質(zhì)量

BSR58 T/R
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3000
原廠品牌
原廠封裝
2007
-

1/1頁 40條/頁共2條
1

您是不是要找： BSR58,215 BSR58LT1G BSR606NH6327XTSA1 BSR802N L6327 BSR802NL6327HTSA1 BSR92PH6327XTSA1 BSR92PL6327HTSA1 BSS-016-01-F-D-DP-EM2 BSS-016-01-H-D-DP-EM2

BSR58 T/R PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BSR58 T/R PDF下載

功能描述
射頻JFET晶體管 TAPE7 FET-RFSS
RoHS
否
制造商
NXP Semiconductors
配置
Single
晶體管極性
N-Channel
正向跨導 gFS（最大值/最小值）
電阻汲極/源極 RDS（導通）
漏源電壓 VDS
40 V
閘/源截止電壓
5 V
閘/源擊穿電壓
40 V
最大漏極/柵極電壓
40 V
漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）
25 mA to 75 mA
漏極連續(xù)電流
功率耗散
250 mW
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOT-23
封裝
Reel

BSR58 T/R 技術(shù)參數(shù)

BSR58 功能描述:JFET N-Channel 40V 8mA @ 15V 250mW Surface Mount SOT-23-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:8mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:800mV @ 0.5nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:60 歐姆安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 功率 - 最大值:250mW 標準包裝:1 BSR57,215 功能描述:JFET N-Channel 40V 20mA @ 15V 250mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:20mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:5V @ 0.5nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:40 歐姆安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:250mW 標準包裝:3,000 BSR57 功能描述:JFET N-Channel 40V 20mA @ 15V 250mW Surface Mount SOT-23-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:20mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:2V @ 0.5nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:40 歐姆安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 功率 - 最大值:250mW 標準包裝:1 BSR56,215 功能描述:JFET N-CH 40V 0.25W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:50mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:20mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:4V @ 0.5nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:25 歐姆安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:250mW 標準包裝:1 BSR56 功能描述:JFET N-Channel 40V 50mA @ 15V 250mW Surface Mount SOT-23-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:50mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:4V @ 0.5nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:25 歐姆安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 功率 - 最大值:250mW 標準包裝:1 BSS-016-01-L-D-DP-EM2 BSS-025-01-C-D-A BSS-025-01-C-D-A-TR BSS-025-01-F-D BSS-025-01-F-D-A BSS-025-01-F-D-A-TR BSS-025-01-F-D-EM2 BSS-025-01-F-D-LC BSS-025-01-F-D-TR BSS-025-01-H-D BSS-025-01-H-D-A BSS-025-01-H-D-A-TR BSS-025-01-L-D BSS-025-01-L-D-A BSS-025-01-L-D-A-TR BSS-025-01-L-D-EM2 BSS-025-01-L-D-LC BSS-025-01-L-D-TR