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BSR606NH6327XTSA1

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  • BSR606NH6327XTSA1
    BSR606NH6327XTSA1

    BSR606NH6327XTSA1

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 9365

  • INFINEON

  • 1521+

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  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • BSR606NH6327XTSA1
    BSR606NH6327XTSA1

    BSR606NH6327XTSA1

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Infineon Technologies

  • 標準封裝

  • 15+

  • -

  • 百分百原裝假一罰十

  • BSR606NH6327XTSA1
    BSR606NH6327XTSA1

    BSR606NH6327XTSA1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

  • BSR606NH6327XTSA1
    BSR606NH6327XTSA1

    BSR606NH6327XTSA1

  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
    科創(chuàng)特電子（香港）有限公司

    聯(lián)系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 3000

  • INFINEON

  • 主營優(yōu)勢

  • 1910

  • -

  • 100%原裝正品★終端免費供樣★

  • 1/1頁 40條/頁 共13條 
  • 1
BSR606NH6327XTSA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET SMALL SIGNAL N-CH
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 30 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 漏極連續(xù)電流
  • 180 mA
  • 電阻汲極/源極 RDS（導通）
  • 4.5 Ohms
  • 配置
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • SOT-416
  • 封裝
  • Reel
BSR606NH6327XTSA1 技術參數(shù)
  • BSR58LT1G 功能描述:JFET N-Channel 40V 8mA @ 15V 350mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:8mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:800mV @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:60 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3（TO-236） 功率 - 最大值:350mW 標準包裝:3,000 BSR58,215 功能描述:JFET N-CH 40V 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:8mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:800mV @ 0.5nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:60 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 功率 - 最大值:250mW 標準包裝:1 BSR58 功能描述:JFET N-Channel 40V 8mA @ 15V 250mW Surface Mount SOT-23-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:8mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:800mV @ 0.5nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:60 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 功率 - 最大值:250mW 標準包裝:1 BSR57,215 功能描述:JFET N-Channel 40V 20mA @ 15V 250mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:20mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:5V @ 0.5nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:40 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 功率 - 最大值:250mW 標準包裝:3,000 BSR57 功能描述:JFET N-Channel 40V 20mA @ 15V 250mW Surface Mount SOT-23-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:20mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:2V @ 0.5nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:40 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 功率 - 最大值:250mW 標準包裝:1 BSS-025-01-F-D BSS-025-01-F-D-A BSS-025-01-F-D-A-TR BSS-025-01-F-D-EM2 BSS-025-01-F-D-LC BSS-025-01-F-D-TR BSS-025-01-H-D BSS-025-01-H-D-A BSS-025-01-H-D-A-TR BSS-025-01-L-D BSS-025-01-L-D-A BSS-025-01-L-D-A-TR BSS-025-01-L-D-EM2 BSS-025-01-L-D-LC BSS-025-01-L-D-TR BSS-034-01-F-D-DP-EM2 BSS-034-01-H-D-DP-EM2 BSS-034-01-L-D-DP-EM2
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