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BSR58LT1G

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BSR58LT1G
    BSR58LT1G

    BSR58LT1G

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • ON

  • 原廠封裝

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • BSR58LT1G
    BSR58LT1G

    BSR58LT1G

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • NULL

  • NULL

  • 09/10+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • BSR58LT1G
    BSR58LT1G

    BSR58LT1G

  • 深圳市湘達電子有限公司
    深圳市湘達電子有限公司

    聯系人:朱平

    電話:0755-83229772-83202753

    地址:辦公地址 幫我改成 深圳市福田區(qū)紅荔路上步工業(yè)區(qū)201棟東座4樓F02室

  • 4449

  • ONSEMI

  • 原廠

  • 21+

  • -
  • 百分百進口原裝現貨,價格有優(yōu)勢。

  • BSR58LT1G
    BSR58LT1G

    BSR58LT1G

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • ON

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理,原裝正品現貨??!

  • 1/1頁 40條/頁 共21條 
  • 1
BSR58LT1G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • JFET 40V 10mA
  • RoHS
  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss)
  • 50 mA
  • 漏源電壓 VDS
  • 15 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 漏極連續(xù)電流
  • 50 mA
  • 配置
  • 安裝風格
  • 封裝 / 箱體
  • SC-59
  • 封裝
  • Reel
BSR58LT1G 技術參數
  • BSR58,215 功能描述:JFET N-CH 40V 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):8mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):800mV @ 0.5nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):60 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 功率 - 最大值:250mW 標準包裝:1 BSR58 功能描述:JFET N-Channel 40V 8mA @ 15V 250mW Surface Mount SOT-23-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):8mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):800mV @ 0.5nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):60 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 功率 - 最大值:250mW 標準包裝:1 BSR57,215 功能描述:JFET N-Channel 40V 20mA @ 15V 250mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):20mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):5V @ 0.5nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):40 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 功率 - 最大值:250mW 標準包裝:3,000 BSR57 功能描述:JFET N-Channel 40V 20mA @ 15V 250mW Surface Mount SOT-23-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):20mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):2V @ 0.5nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):40 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 功率 - 最大值:250mW 標準包裝:1 BSR56,215 功能描述:JFET N-CH 40V 0.25W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):50mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:20mA 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):4V @ 0.5nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):25 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 功率 - 最大值:250mW 標準包裝:1 BSS-025-01-C-D-A-TR BSS-025-01-F-D BSS-025-01-F-D-A BSS-025-01-F-D-A-TR BSS-025-01-F-D-EM2 BSS-025-01-F-D-LC BSS-025-01-F-D-TR BSS-025-01-H-D BSS-025-01-H-D-A BSS-025-01-H-D-A-TR BSS-025-01-L-D BSS-025-01-L-D-A BSS-025-01-L-D-A-TR BSS-025-01-L-D-EM2 BSS-025-01-L-D-LC BSS-025-01-L-D-TR BSS-034-01-F-D-DP-EM2 BSS-034-01-H-D-DP-EM2
配單專家

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