BSO130P03SH

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BSO130P03SHXUMA1
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：吳經(jīng)理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30
69880
TY/臺灣半導(dǎo)體
SOP8
2021+
-
★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

BSO130P03SH
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯(lián)系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F
16800
INFINEON/英飛凌
SOP8
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

BSO130P03SHXUMA1
中山市翔美達電子科技有限公司
中山市翔美達電子科技有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：155020706551802218672813590991023
地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室
6000
英飛凌
NA
19+
-
公司全新原裝正品,QQ153058080...

BSO130P03SHXUMA1
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述

BSO130P03SH 技術(shù)參數(shù)

BSO130P03S H 功能描述:MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9.2A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 11.7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 140μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:81nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3520pF @ 25V 功率 - 最大值:1.56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:P-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO130N03MSGXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 11.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1300pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO119N03S 功能描述:MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11.9 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 25μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1730pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO110N03MSGXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 12.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1500pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO104N03S 功能描述:MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.7 毫歐 @ 13A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2130pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 BSO201SP H BSO201SPHXUMA1 BSO201SPNTMA1 BSO203PHXUMA1 BSO203PNTMA1 BSO203SP H BSO203SPHXUMA1 BSO203SPNTMA1 BSO204PNTMA1 BSO207PHXUMA1 BSO207PNTMA1 BSO211PHXUMA1 BSO211PNTMA1 BSO215C BSO220N03MD G BSO220N03MSGXUMA1 BSO300N03S BSO301SP H