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AUIRF7799L2

AUIRF7799L2TR
林沃田信息技術(深圳)有限公司
林沃田信息技術(深圳)有限公司
聯(lián)系人：岳先生田小姐
電話：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906
資質：營業(yè)執(zhí)照
60510
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 35A
22+
-

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中山市翔美達電子科技有限公司
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聯(lián)系人：朱小姐
電話：155020706551802218672813590991023
地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室
3000
Infineon/英飛凌
NA
19+
-
公司全新原裝正品,QQ153058080...

AUIRF7799L2
天陽誠業(yè)科貿有限公司
天陽誠業(yè)科貿有限公司
聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業(yè)執(zhí)照
454823
INFINEON
con
24+
-

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北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質：營業(yè)執(zhí)照
454823
INFINEON
con
24+
-

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深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業(yè)執(zhí)照
9800
Infineon Technologies
DIRECTFET L8
19+
-
代理直銷！進口原裝正品！

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北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：王
電話：13969210552
地址：中國上海
328520
INFINEON
con
24+
-
優(yōu)勢庫存，原裝正品

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深圳市德力誠信科技有限公司
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聯(lián)系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室
454823
INFINEON
con
24+
-
現貨常備京北通宇商城可查價格

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深圳市德力誠信科技有限公司
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聯(lián)系人：王小姐
電話：13969210552
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3031號漢國中心3204室
資質：營業(yè)執(zhí)照
328520
INFINEON
con
24+
-
優(yōu)勢庫存，原裝正品

AUIRF7799L2
深圳市科宏特電子有限公司
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聯(lián)系人：李瑞兵
電話：18897698645
地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強電子世界三店佳和4C148
36000000
Infineon
22+
-
原裝正品

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AUIRF7799L2 技術參數

AUIRF7769L2TR 功能描述:MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:375A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 毫歐 @ 74A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:11560pF @ 25V 功率 - 最大值:3.3W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DirectFET? 等距 L8 供應商器件封裝:DIRECTFET L8 標準包裝:4,000 AUIRF7759L2TR 功能描述:MOSFET N-CH 75V 160A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:375A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.3 毫歐 @ 96A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:12222pF @ 25V 功率 - 最大值:3.3W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DirectFET? 等距 L8 供應商器件封裝:DIRECTFET L8 標準包裝:4,000 AUIRF7749L2TR 功能描述:MOSFET NCH 60V 36A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:汽車級，AEC-Q101，OptiMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:36A（Ta），345A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 毫歐 @ 120A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:275nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10655pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DirectFET? 等距 L8 供應商器件封裝:DIRECTFET L8 標準包裝:1 AUIRF7739L2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET2 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:46A（Ta），270A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1 毫歐 @ 160A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:330nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:11880pF @ 25V 功率 - 最大值:3.8W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DirectFET? 等距 L8 供應商器件封裝:DIRECTFET L8 標準包裝:4,000 AUIRF7738L2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 315A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:35A（Ta），130A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 毫歐 @ 109A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:194nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7471pF @ 25V 功率 - 最大值:3.3W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DirectFET? 等距 L6 供應商器件封裝:DIRECTFET L6 標準包裝:4,000 AUIRFB3207 AUIRFB3806 AUIRFB4410 AUIRFB4610 AUIRFB8405 AUIRFB8407 AUIRFB8409 AUIRFBA1405 AUIRFL014N AUIRFL014NTR AUIRFL024N AUIRFL024NTR AUIRFN7107TR AUIRFN7110TR AUIRFN8401TR AUIRFN8403TR AUIRFN8405TR AUIRFN8458TR