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APTM10HM19FT3

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  • 操作
  • APTM10HM19FT3G
    APTM10HM19FT3G

    APTM10HM19FT3G

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83286481

    地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業(yè)中心（A塔）1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SP3

  • 23+

  • -

  • 微芯專營優(yōu)勢產品

  • APTM10HM19FT3G
    APTM10HM19FT3G

    APTM10HM19FT3G

  • 標準國際(香港)有限公司
    標準國際(香港)有限公司

    聯系人：朱小姐

    電話：83617149

    地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 12

  • Microsemi Power Products

  • 2016+

  • -

  • 公司現貨！只做原裝！

  • APTM10HM19FT3G
    APTM10HM19FT3G

    APTM10HM19FT3G

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • MICROSEMI POWER PRODUCTS

  • 標準封裝

  • 2010+

  • -

  • 全新原裝100%正品保證質量

  • APTM10HM19FT3G
    APTM10HM19FT3G

    APTM10HM19FT3G

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 205

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共17條 
  • 1
APTM10HM19FT3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 制造商
  • ADPOW
  • 制造商全稱
  • Advanced Power Technology
  • 功能描述
  • Full - Bridge MOSFET Power Module
APTM10HM19FT3 技術參數
  • APTM10HM09FTG 功能描述:MOSFET 4N-CH 100V 139A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:139A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 69.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:350nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:9875pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM10HM09FT3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:139A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 69.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:350nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:9875pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTM10HM05FG 功能描述:MOSFET 4N-CH 100V 278A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:278A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 125A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:700nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:20000pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM10DUM05TG 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:278A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 125A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:700nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:20000pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM10DUM02G 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:495A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 毫歐 @ 200A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1360nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:40000pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM120A15FG APTM120A20DG APTM120A20SG APTM120A29FTG APTM120A65FT1G APTM120A80FT1G APTM120DA15G APTM120DA29TG APTM120DA30CT1G APTM120DA30T1G APTM120DA56T1G APTM120DA68T1G APTM120DDA57T3G APTM120DSK57T3G APTM120DU15G APTM120DU29TG APTM120H140FT1G APTM120H29FG
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