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APTM10UM02FAG

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  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APTM10UM02FAG
    APTM10UM02FAG

    APTM10UM02FAG

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SP6

  • 23+

  • -

  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • APTM10UM02FAG
    APTM10UM02FAG

    APTM10UM02FAG

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • APT

  • MODULE

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

  • APTM10UM02FAG
    APTM10UM02FAG

    APTM10UM02FAG

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 19+

  • -

  • 瑞智芯 只有原裝

  • APTM10UM02FAG
    APTM10UM02FAG

    APTM10UM02FAG

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Microsemi Corporation

  • MOSFET N-CH 100V 570

  • 22+

  • -

  • 1/1頁 40條/頁 共8條 
  • 1
APTM10UM02FAG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 100V 570A SP6
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 半導(dǎo)體模塊 >> FET
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 10
  • 系列
  • *
APTM10UM02FAG 技術(shù)參數(shù)
  • APTM10UM01FAG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 860A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:860A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 毫歐 @ 275A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 12mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:60000pF @ 25V 功率 - 最大值:2500W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM10TDUM19PG 功能描述:MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:70A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 35A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:200nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5100pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTM10TDUM09PG 功能描述:MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:139A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 69.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:350nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:9875pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTM10TAM19FPG 功能描述:MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:70A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 35A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:200nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5100pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTM10TAM09FPG 功能描述:MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:139A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 69.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:350nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:9875pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTM120DA30T1G APTM120DA56T1G APTM120DA68T1G APTM120DDA57T3G APTM120DSK57T3G APTM120DU15G APTM120DU29TG APTM120H140FT1G APTM120H29FG APTM120H57FT3G APTM120H57FTG APTM120SK15G APTM120SK29TG APTM120SK56T1G APTM120SK68T1G APTM120TA57FPG APTM120TDU57PG APTM120U10DAG
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