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AOTS21115C

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
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  • AOTS21115C
    AOTS21115C

    AOTS21115C

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    聯(lián)系人:雷小姐

    電話(huà):0755-82788062

    地址:華強(qiáng)北都會(huì)軒4507

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 30000

  • AOS/萬(wàn)代

  • TSOP-6

  • 24+

  • -
  • 原裝正品,可含稅供應(yīng)。品質(zhì)保障

  • AOTS21115C
    AOTS21115C

    AOTS21115C

  • 深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
    深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話(huà):2394575513590206539

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室

  • 43500

  • AOS

  • TSOP-6

  • 2022+

  • -
  • 十年芯途,只做原裝,實(shí)單可以支持。075...

  • AOTS21115C
    AOTS21115C

    AOTS21115C

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人:雷小姐

    電話(huà):0755-2391507123915070(承諾只售原裝正品,終端BOM配單一站式服務(wù))

    地址:華強(qiáng)街道賽格廣場(chǎng)55樓5566室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 86000

  • AOS/萬(wàn)代

  • TSOP6

  • 2020+

  • -
  • ★★★真實(shí)庫(kù)存,假一賠十,原廠授權(quán)★★★

  • AOTS21115C
    AOTS21115C

    AOTS21115C

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:廖R

    電話(huà):13163738578

    地址:龍崗區(qū)坂田五和大道山海大廈c 棟707

  • 30

  • ALPHA & OMEGA SEMICONDUCT

  • C08-場(chǎng)效應(yīng)管

  • 2101

  • -
  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條 
  • 1
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AOTS21115C 技術(shù)參數(shù)
  • AOTF9N90 功能描述:MOSFET N-CH 900V 9A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.3 歐姆 @ 4.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):58nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2560pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOTF9N70 功能描述:MOSFET N-CH 700V 9A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):700V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.2 歐姆 @ 4.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):35nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1630pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOTF9N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 9A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):850 毫歐 @ 4.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):28nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1042pF @ 25V 功率 - 最大值:38.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOTF8T50P_001 功能描述:MOSFET N-CH 30V TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):最後搶購(gòu) FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):19nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):905pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):38W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):810 毫歐 @ 4A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 封裝/外殼:TO-220-3 整包 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AOTF8T50P 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):810 毫歐 @ 4A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):19nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):905pF @ 100V 功率 - 最大值:38W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOU4S60 AOU7S60 AOU7S65 AOV11S60 AOV15S60 AOV20S60 AOW10N60 AOW10N65 AOW10T60 AOW10T60P AOW11N60 AOW11S60 AOW11S65 AOW12N50 AOW12N60 AOW12N65 AOW14N50 AOW15S60
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