AOTF266L 低壓MOS管

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AOTF266L 低壓MOS管技術(shù)參數(shù)

AOTF266L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 18A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A（Ta），78A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:90nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5650pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOTF262L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 17.5A/85A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:17.5A（Ta），85A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.6 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:135nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:8140pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOTF2618L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 16A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7A（Ta），22A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:950pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOTF2610L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 35A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9A（Ta），35A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10.7 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2007pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOTF260L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 19A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:19A（Ta），92A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.6 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:210nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:11800pF @ 30V 功率 - 最大值:1.9W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOTF298L AOTF29S50L AOTF2N60 AOTF2N60L AOTF3N100 AOTF3N50 AOTF3N80 AOTF3N90 AOTF404 AOTF409 AOTF4126 AOTF4185 AOTF42S60L AOTF450L AOTF454L AOTF472 AOTF474 AOTF4N60