參數(shù)資料
型號(hào)： IBM11N1735Q
廠商： IBM Microeletronics
英文描述： 1M x 72 DRAM Module(1M x 72 動(dòng)態(tài)RAM模塊)
中文描述： 100萬× 72內(nèi)存（100萬× 72動(dòng)態(tài)內(nèi)存模塊）
文件頁數(shù)： 23/31頁
文件大?。?/td> 565K
代理商： IBM11N1735Q
IBM11N1645L
IBM11N1735Q
1M x 64/72 DRAM Module
50H8035
SA14-4630-05
Revised 3/97
IBM Corporation. All rights reserved.
Use is further subject to the provisions at the end of this document.
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EDO Page Mode Read Modify Write Cycle
Address
RAS
WE
OE
D
OUT
D
IN
D
IN
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RP
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CP
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CP
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D
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: “H” or “L”
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Hi-Z
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Column 1
Row
Column 2
Column N
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V
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OL
V
IH
V
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RCD
t
CAS
t
CRP
t
CPA
CAS
t
WRP
NOTE 1
t
WRH
NOTE 1:
Implementing WE at RAS time During a Read or Write Cycle is optional.
Doing so will facilitate compatibility with future EDO DRAMs.
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IBM11N16845BB 16M x 72 Chip-Kill Protect ECC-on-DIMM Module(16M x 72 帶糾錯(cuò)代碼保護(hù)的小外形雙列直插動(dòng)態(tài)RAM模塊)
IBM11N16845CB 16M x 72 Chip-Kill Protect ECC-on-DIMM Module(16M x 72 帶糾錯(cuò)代碼保護(hù)的小外形雙列直插動(dòng)態(tài)RAM模塊)
IBM11N2645H 2M x 64 DRAM Module(2M x 64 動(dòng)態(tài)RAM模塊)
IBM11N2735H 2M x 72 DRAM Module(2M x 72 動(dòng)態(tài)RAM模塊)
IBM11N4645BB 4M x 64 DRAM Module(4M x 64 動(dòng)態(tài)RAM模塊)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IBM14H5481 制造商:AVED Memory Products 功能描述:
IBM14H5540 制造商:AVED MEMORY PRODUCTS 功能描述: 制造商:AVED Memory Products 功能描述:
IBM17R8251 制造商:AVED Memory Products 功能描述:
IBM17R8252 制造商:AVED Memory Products 功能描述:
IBM1805T 制造商:Schneider Electric 功能描述:IBM1805T
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