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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HZS9C2 |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 9.3 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
| 封裝： | MHD, 2 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 31K |
| 代理商： | HZS9C2 |
HZS Series
5
Zener Voltage
Reverese Current
Dynamic Resistance
V
Z (V)*
1
Test
Condition I
R (A)
Test
Condition r
d ()
Test
Condition
Type
Grade
Min
Max
I
Z (mA)
Max
V
R (V)
Max
I
Z (mA)
HZS15
1
14.1
14.7
5
1
11.0
40
5
2
14.5
15.1
3
14.9
15.5
HZS16
1
15.3
15.9
5
1
12.0
45
5
2
15.7
16.5
3
16.3
17.1
HZS18
1
16.9
17.7
5
1
13.0
55
5
2
17.5
18.3
3
18.1
19.0
HZS20
1
18.8
19.7
2
1
15.0
60
2
19.5
20.4
3
20.2
21.1
HZS22
1
20.9
21.9
2
1
17.0
65
2
21.6
22.6
3
22.3
23.3
HZS24
1
22.9
24.0
2
1
19.0
70
2
23.6
24.7
3
24.3
25.5
HZS27
1
25.2
26.6
2
1
21.0
80
2
26.2
27.6
3
27.2
28.6
HZS30
1
28.2
29.6
2
1
23.0
100
2
29.2
30.6
3
30.2
31.6
HZS33
1
31.2
32.6
2
1
25.0
120
2
32.2
33.6
3
33.2
34.6
HZS36
1
34.2
35.7
2
1
27.0
140
2
35.3
36.8
3
36.4
38.0
Note:
1. Tested with DC.
Note:
2. Type No. is as follows; HZS2B1, HZS2B2, HZS36-3.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HZS5B1 | 4.7 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
| IBM0418A86LQKA-6 | 512K X 18 STANDARD SRAM, 3.5 ns, PQFP100 |
| IBM04364ARLAD-5N | 128K X 36 STANDARD SRAM, 5.5 ns, PBGA119 |
| IBM13N4649CC-10T | 4M X 64 SYNCHRONOUS DRAM, 8 ns, DMA168 |
| IBM14P13724DPA-11 | 128K X 72 CACHE TAG SRAM MODULE, 11 ns, DMA182 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HZS9C3 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply |
| HZS9L | 制造商:EIC 制造商全稱:EIC discrete Semiconductors 功能描述:ZENER DIODES |
| HZS9L1 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application |
| HZS9L2 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application |
| HZS9L3 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application |
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