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參數(shù)資料
| 型號： | HZS9C2 |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 9.3 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
| 封裝： | MHD, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 31K |
| 代理商： | HZS9C2 |
HZS Series
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25
°C)
Item
Symbol
Value
Unit
Power dissipation
Pd
400
mW
Junction temperature
Tj
200
°C
Storage temperature
Tstg
-55 to +175
°C
Electrical Characteristics (Ta = 25
°C)
Zener Voltage
Reverese Current
Dynamic Resistance
V
Z (V)*
1
Test
Condition I
R (A)
Test
Condition r
d ()
Test
Condition
Type
Grade
Min
Max
I
Z (mA)
Max
V
R (V)
Max
I
Z (mA)
HZS2
A1
1.6
1.8
5
25
0.5
100
5
A2
1.7
1.9
A3
1.8
2.0
B1
1.9
2.1
5
0.5
100
5
B2
2.0
2.2
B3
2.1
2.3
C1
2.2
2.4
C2
2.3
2.5
C3
2.4
2.6
HZS3
A1
2.5
2.7
5
0.5
100
5
A2
2.6
2.8
A3
2.7
2.9
B1
2.8
3.0
B2
2.9
3.1
B3
3.0
3.2
C1
3.1
3.3
C2
3.2
3.4
C3
3.3
3.5
HZS4
A1
3.4
3.6
5
1.0
100
5
A2
3.5
3.7
A3
3.6
3.8
Note:
1. Tested with DC.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HZS5B1 | 4.7 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
| IBM0418A86LQKA-6 | 512K X 18 STANDARD SRAM, 3.5 ns, PQFP100 |
| IBM04364ARLAD-5N | 128K X 36 STANDARD SRAM, 5.5 ns, PBGA119 |
| IBM13N4649CC-10T | 4M X 64 SYNCHRONOUS DRAM, 8 ns, DMA168 |
| IBM14P13724DPA-11 | 128K X 72 CACHE TAG SRAM MODULE, 11 ns, DMA182 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HZS9C3 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply |
| HZS9L | 制造商:EIC 制造商全稱:EIC discrete Semiconductors 功能描述:ZENER DIODES |
| HZS9L1 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application |
| HZS9L2 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application |
| HZS9L3 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application |
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