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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HZS12L |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application(低噪音應(yīng)用的平面外延齊納二極管) |
| 中文描述： | 硅外延平面齊納二極管低噪聲應(yīng)用（低噪音應(yīng)用的平面外延齊納二極管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 33K |
| 代理商： | HZS12L |
HZS-L Series
3
Zener Voltage
Reverese Current
Dynamic Resistance
V
Z
(V)*
Min
1
Test
Condition I
R
(
μ
A)
I
Z
(mA)
0.5
Test
Condition r
d
(
)
V
R
(V)
6.0
Test
Condition
Type
Grade
Max
Max
Max
I
Z
(mA)
0.5
HZS9L
B1
8.3
8.7
1
60
B2
8.5
8.9
B3
8.7
9.1
C1
8.9
9.3
C2
9.1
9.5
C3
9.3
9.7
HZS11L
A1
9.5
9.9
0.5
1
8.0
80
0.5
A2
9.7
10.1
A3
9.9
10.3
B1
10.2
10.6
B2
10.4
10.8
B3
10.7
11.1
C1
10.9
11.3
C2
11.1
11.6
C3
11.4
11.9
HZS12L
A1
11.6
12.1
0.5
1
10.5
80
0.5
A2
11.9
12.4
A3
12.2
12.7
B1
12.4
12.9
B2
12.6
13.1
B3
12.9
13.4
C1
13.2
13.7
C2
13.5
14.0
C3
13.8
14.3
HZS15L
1
14.1
14.7
0.5
1
13.0
80
0.5
2
14.5
15.1
3
14.9
15.5
HZS16L
1
15.3
15.9
0.5
1
14.0
80
0.5
2
15.7
16.5
3
16.3
17.1
Note:
1. Tested with DC.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HZS18L | Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application(低噪音應(yīng)用的平面外延齊納二極管) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HZS12L1 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application |
| HZS12L2 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application |
| HZS12L3 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application |
| HZS12LA1 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application |
| HZS12LA2 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application |
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