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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HZS12L |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application(低噪音應(yīng)用的平面外延齊納二極管) |
| 中文描述： | 硅外延平面齊納二極管低噪聲應(yīng)用（低噪音應(yīng)用的平面外延齊納二極管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 33K |
| 代理商： | HZS12L |
HZS-L Series
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Value
Unit
Power dissipation
Pd
400
mW
Junction temperature
Tj
200
°C
Storage temperature
Tstg
-55 to +175
°C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Zener Voltage
Reverese Current
Dynamic Resistance
V
Z
(V)*
Min
1
Test
Condition I
R
(
μ
A)
I
Z
(mA)
0.5
Test
Condition r
d
(
)
V
R
(V)
2.0
Test
Condition
Type
Grade
Max
Max
Max
I
Z
(mA)
0.5
HZS6L
A1
5.2
5.5
1
150
A2
5.3
5.6
A3
5.4
5.7
B1
5.5
5.8
80
0.5
B2
5.6
5.9
B3
5.7
6.0
C1
5.8
6.1
60
0.5
C2
6.0
6.3
C3
6.1
6.4
HZS7L
A1
6.3
6.6
0.5
1
3.5
60
0.5
A2
6.4
6.7
A3
6.6
6.9
B1
6.7
7.0
B2
6.9
7.2
B3
7.0
7.3
C1
7.2
7.6
C2
7.3
7.7
C3
7.5
7.9
HZS9L
A1
7.7
8.1
0.5
1
6.0
60
0.5
A2
7.9
8.3
A3
8.1
8.5
Note:
1. Tested with DC.
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