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參數(shù)資料
| 型號： | HZM6.8NB3TL |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 6.8 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封裝： | MPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 193K |
| 代理商： | HZM6.8NB3TL |
HZM-N Series
Rev.5.00, Decl.14.2004, page 4 of 7
Zener Voltage
Reverse Current
Dynamic Resistance
VZ (V)*
1
Test
Condition
IR (A)
Test
Condition
rd ()
Test
Condition
Type
Grade
Min
Max
IZ (mA)
Max
VR (V)
Max
IZ (mA)
B
18.86
21.08
B1
18.86
19.70
B2
19.52
20.39
HZM20Ｎ
B3
20.21
21.08
5
2
15.0
50
5
B
20.88
23.17
B1
20.88
21.77
B2
21.54
22.47
HZM22N
B3
22.23
23.17
5
2
17.0
55
5
B
22.93
25.57
B1
22.93
23.96
B2
23.72
24.78
HZM24N
B3
24.54
25.57
5
2
19.0
60
5
HZM27N
B
25.10
28.90
2
21.0
70
2
HZM30N
B
28.00
32.00
2
23.0
80
2
HZM33N
B
31.00
35.00
2
25.0
80
2
HZM36N
B
34.00
38.00
2
27.0
90
2
Note:
1. Tested with pulse (PW = 40 ms)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HZS11B1LRY | 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, D0-34 |
| HZS15NB1TD | 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
| HZS15NB2TDX | 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, D0-34 |
| HZS16NB1RY | 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, D0-34 |
| HZS18NB3TAX | 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, D0-34 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HZM68ZMFA | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon Planar Zener Diode for Surge Absorb |
| HZM68ZWA | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb |
| HZM7.5FA | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb |
| HZM7.5N | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilizer |
| HZM7.5NB | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilizer |
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