參數(shù)資料
型號(hào)： HYS64V16300GU-7-C2
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 3.3 V 16M x 64/72-Bit 1 Bank 128MByte SDRAM Module 3.3 V 32M x 64/72-Bit 2 Bank 256MByte SDRAM Module 168-Pin Unbuffered DIMM Modules
中文描述： 3.3伏16米x 64/72-Bit 1銀行128MByte SDRAM的模塊3.3伏32M的x 64/72-Bit 2銀行256MB的內(nèi)存模塊168引腳無(wú)緩沖DIMM模塊
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代理商： HYS64V16300GU-7-C2
HYS 64/72V16300/32220GU
SDRAM-Modules
INFINEON Technologies
9
9.01
AC Characteristics
3), 4)
T
A = 0 to 70 °C; VSS =0V; VDD =3.3 V ±0.3 V, tT =1ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Note
-7
PC133-222
-7.5
PC133-333
-8
PC100-222
min.
max.
min.
max. min.
max.
Clock and Access Time
Clock Cycle Time
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
t
CK
7.5
–
7.5
10
–
10
–
ns
–
System Frequency
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
f
CK
–
133
–
133
100
–
100
MHz
–
Clock Access Time
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
t
AC
–
5.4
–
5.4
6
–
6
ns
4), 5)
Clock High Pulse Width
t
CH
2.5
–
2.5
–
3
–
ns
6)
Clock Low Pulse Width
t
CL
2.5
–
2.5
–
3
–
ns
6)
Setup & Hold Parameters
Input Setup Time
t
IS
1.5
–
1.5
–
2
–
ns
7)
Input Hold Time
t
IH
0.8
–
0.8
–
1
–
ns
7)
Power Down Mode Entry
Time
t
SB
–
1
–
1
–
1CLK
8)
Power Down Mode Exit
Setup Time
t
PDE
1
–
1
–
1
–
CLK
9)
Mode Register Setup Time
t
RSC
2
–
2
–
2
–
CLK
Transition Time (rise and fall)
t
T
1
–
1
–
1
–
ns
–
Common Parameters
RAS to CAS Delay
t
RCD
15
–
20
–
20
–
ns
–
Precharge Time
t
RP
15
–
20
–
20
–
ns
–
Active Command Period
t
RAS
42
100k
45
100k
50
100k
ns
–
Cycle Time
t
RC
60
–
67.5
–
70
–
ns
–
Bank-to-Bank Delay Time
t
RRD
14
–
15
–
16
–
ns
–
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYS64V16300GU-7.5-C2 3.3 V 16M x 64/72-Bit 1 Bank 128MByte SDRAM Module 3.3 V 32M x 64/72-Bit 2 Bank 256MByte SDRAM Module 168-Pin Unbuffered DIMM Modules
HYS64V32220GU-7-C2 32M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168
HYS72V2100GU-10 2M X 72 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 8 ns, DMA168
HZ3ALL 2.7 V, 0.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
HZ5BLL 4.8 V, 0.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
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參數(shù)描述
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