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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYM75V32M636T6-H |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA144 |
| 封裝： | SODIMM-144 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/13頁(yè) |
| 文件大小： | 179K |
| 代理商： | HYM75V32M636T6-H |
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PC133 SDRAM SO DIMM
Rev. 0.1/Apr. 02
12
HYM75V32M636(L)T6 Series
DEVICE OPERATING OPTION TABLE
HYM75V32M636(L)T6 -K
HYM75V32M636(L)T6 -H
COMMAND TRUTH TABLE
Note : 1. Exiting Self Refresh occurs by asynchronously bringing CKE from low to high
2. X = Don
′t care, H = Logic High, L = Logic Low. BA =Bank Address, RA = Row Address, CA = Column Address,
CAS Latency
tRCD
tRAS
tRC
tRP
tAC
tOH
133MHz(7.5ns)
2CLKs
6CLKs
8CLKs
2CLKs
5.4ns
2.7ns
125MHz(8ns)
2CLKs
3CLKs
6CLKs
9CLKs
3CLKs
6ns
3ns
100MHz(10ns)
2CLKs
5CLKs
7CLKs
2CLKs
6ns
3ns
CAS Latency
tRCD
tRAS
tRC
tRP
tAC
tOH
133MHz(7.5ns)
3CLKs
6CLKs
9CLKs
3CLKs
5.4ns
2.7ns
125MHz(8ns)
3CLKs
6CLKs
9CLKs
3CLKs
6ns
3ns
100MHz(10ns)
2CLKs
5CLKs
7CLKs
2CLKs
6ns
3ns
Command
CKEn-1
CKE
n
CS
RAS
CAS
WE
DQ
M
ADDR
A10/
AP
BA
Note
Mode Register Set
H
X
L
X
OP code
No Operation
H
X
H
XXX
XX
LH
H
Bank Active
H
X
L
H
X
RA
V
Read
HX
L
H
L
H
X
CA
L
V
Read with Autoprecharge
H
Write
HX
L
H
L
X
CA
L
V
Write with Autoprecharge
H
Precharge All Banks
HX
L
H
L
X
HX
Precharge selected Bank
LV
Burst Stop
H
X
L
H
L
X
DQM
H
X
V
X
Auto Refresh
H
L
H
X
Burst-Read-Single-WRITE
H
X
L
H
X
A9 Pin High
(Other Pins OP code)
Self Refresh1
Entry
H
L
LLL
H
X
Exit
L
H
XXX
X
LH
H
Precharge
power down
Entry
H
L
H
XXX
X
LH
H
Exit
L
H
XXX
X
LH
H
Clock
Suspend
Entry
H
L
H
XXX
X
L
VVV
Exit
L
H
X
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYS64V16300GU-8-C2 | 3.3 V 16M x 64/72-Bit 1 Bank 128MByte SDRAM Module 3.3 V 32M x 64/72-Bit 2 Bank 256MByte SDRAM Module 168-Pin Unbuffered DIMM Modules |
| HYS64V16300GU-7-C2 | 3.3 V 16M x 64/72-Bit 1 Bank 128MByte SDRAM Module 3.3 V 32M x 64/72-Bit 2 Bank 256MByte SDRAM Module 168-Pin Unbuffered DIMM Modules |
| HYS64V16300GU-7.5-C2 | 3.3 V 16M x 64/72-Bit 1 Bank 128MByte SDRAM Module 3.3 V 32M x 64/72-Bit 2 Bank 256MByte SDRAM Module 168-Pin Unbuffered DIMM Modules |
| HYS64V32220GU-7-C2 | 32M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168 |
| HYS72V2100GU-10 | 2M X 72 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 8 ns, DMA168 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYM76V16635HGT8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:16Mx64|3.3V|K/H|x16|SDR SDRAM - Unbuffered DIMM 128MB |
| HYM76V16635HGT8-H | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HYM76V16635HGT8-K | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HYM76V16655HGT8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:16Mx64|3.3V|P/S|x16|SDR SDRAM - Unbuffered DIMM 128MB |
| HYM76V16655HGT8-8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
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