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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYM75V32M636T6-H |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA144 |
| 封裝： | SODIMM-144 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/13頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 179K |
| 代理商： | HYM75V32M636T6-H |
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PC133 SDRAM SO DIMM
Rev. 0.1/Apr. 02
10
HYM75V32M636(L)T6 Series
AC CHARACTERISTICS I (AC operating conditions unless otherwise noted)
Note :
1.Assume tR / tF (input rise and fall time ) is 1ns
If tR & tF > 1ns, then [(tR+tF)/2-1]ns should be added to the parameter
2.Access times to be measured with input signals of 1v/ns edge rate, from 0.8v to 2.0v
If tR > 1ns, then (tR/2-0.5)ns should be added to the parameter
Parameter
Symbol
-K
-H
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
System Clock
Cycle Time
CAS Latency = 3
tCK3
7.5
1000
7.5
1000
ns
CAS Latency = 2
tCK2
7.5
10
ns
Clock High Pulse Width
tCHW
2.5
-
2.5
-
ns
1
Clock Low Pulse Width
tCLW
2.5
-
2.5
-
ns
1
Access Time
From Clock
CAS Latency = 3
tAC3
-
5.4
-
5.4
ns
2
CAS Latency = 2
tAC2
-
5.4
-
6
ns
Data-Out Hold Time
tOH
2.7
-
2.7
-
ns
Data-Input Setup Time
tDS
1.5
-
1.5
-
ns
1
Data-Input Hold Time
tDH
0.8
-
0.8
-
ns
1
Address Setup Time
tAS
1.5
-
1.5
-
ns
1
Address Hold Time
tAH
0.8
-
0.8
-
ns
1
CKE Setup Time
tCKS
1.5
-
1.5
-
ns
1
CKE Hold Time
tCKH
0.8
-
0.8
-
ns
1
Command Setup Time
tCS
1.5
-
1.5
-
ns
1
Command Hold Time
tCH
0.8
-
0.8
-
ns
1
CLK to Data Output in Low-Z Time
tOLZ
1
-
1
-
ns
CLK to Data
Output in High-Z
Time
CAS Latency = 3
tOHZ3
2.7
5.4
2.7
5.4
ns
CAS Latency = 2
tOHZ2
2.7
5.4
3
6
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYS64V16300GU-8-C2 | 3.3 V 16M x 64/72-Bit 1 Bank 128MByte SDRAM Module 3.3 V 32M x 64/72-Bit 2 Bank 256MByte SDRAM Module 168-Pin Unbuffered DIMM Modules |
| HYS64V16300GU-7-C2 | 3.3 V 16M x 64/72-Bit 1 Bank 128MByte SDRAM Module 3.3 V 32M x 64/72-Bit 2 Bank 256MByte SDRAM Module 168-Pin Unbuffered DIMM Modules |
| HYS64V16300GU-7.5-C2 | 3.3 V 16M x 64/72-Bit 1 Bank 128MByte SDRAM Module 3.3 V 32M x 64/72-Bit 2 Bank 256MByte SDRAM Module 168-Pin Unbuffered DIMM Modules |
| HYS64V32220GU-7-C2 | 32M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168 |
| HYS72V2100GU-10 | 2M X 72 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 8 ns, DMA168 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYM76V16635HGT8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:16Mx64|3.3V|K/H|x16|SDR SDRAM - Unbuffered DIMM 128MB |
| HYM76V16635HGT8-H | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HYM76V16635HGT8-K | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HYM76V16655HGT8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:16Mx64|3.3V|P/S|x16|SDR SDRAM - Unbuffered DIMM 128MB |
| HYM76V16655HGT8-8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
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