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參數(shù)資料
| 型號： | HYM64V4005GU-50 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.3V 4M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 4M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| 中文描述： | 4M X 64 EDO DRAM MODULE, 50 ns, DMA168 |
| 封裝： | DIMM-168 |
| 文件頁數(shù)： | 12/17頁 |
| 文件大?。?/td> | 95K |
| 代理商： | HYM64V4005GU-50 |
HYM64(72)V4005/45GU-50/-60
4M x 64/72 DRAM Module
Semiconductor Group
12
Output turn-off delay from OE
t
OEZ
t
DZC
t
DZO
t
CDD
t
ODD
0
13
0
15
ns
12
Data to CAS low delay
0
–
0
–
ns
13
Data to OE low delay
0
–
0
–
ns
13
CAS high to data delay
10
–
13
–
ns
14
OE high to data delay
10
–
13
–
ns
14
Write Cycle
Write command hold time
t
WCH
t
WP
t
WCS
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
8
–
10
–
ns
Write command pulse width
8
–
10
–
ns
Write command setup time
0
–
0
–
ns
15
Write command to RAS lead time
Write command to CAS lead time
13
13
–
–
15
15
–
–
ns
ns
Data setup time
0
–
0
–
ns
16
Data hold time
8
–
10
–
ns
16
Read-modify-Write Cycle
Read-write cycle time
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
t
OEH
113
–
138
–
ns
RAS to WE delay time
64
–
77
–
ns
15
CAS to WE delay time
27
–
32
–
ns
15
Column address to WE delay time
39
–
47
–
ns
15
OE command hold time
10
–
13
–
ns
Hyper Page Mode (EDO) Cycle
EDO cycle time
t
HPC
t
CP
t
CPA
t
COH
t
RAS
t
RHPC
t
OES
20
–
25
–
ns
CAS precharge time
8
–
10
–
ns
Access time from CAS precharge
–
27
–
32
ns
7
Output data hold time
5
–
5
–
ns
RAS pulse width in EDO mode
50
200k
60
200k
ns
CAS precharge to RAS Delay
OE setup time prior to CAS
27
5
–
–
32
5
–
–
ns
ns
AC Characteristics
(cont’d)
5)6)
T
A
= 0 to 70 °C,
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 2 ns
16E
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Note
-50
-60
min.
max.
min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYM64V4005GU-60 | GIGASTATION2 SNAP FITTINGF CONN, IVORY |
| HYM64V4045GU-50 | 3.3V 4M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 4M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM64V4045GU-60 | 3.3V 4M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 4M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM72V4045GU-60 | 3.3V 4M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 4M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM72V8000GS-50 | Tools, Extractors; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYM64V4005GU-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 4M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM64V4005GU-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
| HYM64V4045GU-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 4M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM64V4045GU-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 4M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM64V4045GU-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
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