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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYM368025S-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
| 中文描述： | 8M X 36 EDO DRAM MODULE, 60 ns, SMA72 |
| 封裝： | SIMM-72 |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 104K |
| 代理商： | HYM368025S-60 |
Semiconductor Group
6
HYM 368025S/GS-50/-60
8M
×
36-Bit EDO-Module
DC Characteristics
1)
(cont’d)
Capacitance
T
A
= 0 to 70 °C,
V
CC
= 5 V
±
10 %,
f
= 1 MHz
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Test
Condition
min.
max.
Average
V
CC
supply current
during fast page mode
(RAS =
V
IL
, CAS, address cycling,
t
PC
=
t
PC
min)
-50 version
-60 version
I
CC4
–
–
840
680
mA
mA
2),3),4)
Standby
V
CC
supply current
(RAS = CAS =
V
CC
– 0.2 V)
Average
V
CC
supply current during CAS-
before-RAS refresh mode (per bank)
(RAS, CAS cycling,
t
RC
=
t
RC
min)
I
CC5
–
24
mA
-50 version
-60 version
I
CC6
–
–
1240
1120
mA
mA
2),4)
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
min.
max.
Input capacitance (A0 to A10,WE)
C
I1
C
I2
C
I3
C
IO
–
180
pF
Input capacitance (RAS0 - RAS3)
–
50
pF
Input capacitance (CAS0 - CAS3)
–
40
pF
I/O capacitance (DQ0-DQ35)
–
25
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYM368025GS-50 | 8M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
| HYM368025GS-60 | 8M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
| HYS 64V64220GU | 3.3 V 64M 64-Bit SDRAM Modules(3.3 V 64M 64/72-Bit 2 個(gè)存儲(chǔ)體的 SDRAM 模塊) |
| HYS 72V64220GU | 3.3 V 64M 72-Bit SDRAM Modules(3.3 V 64M 64/72-Bit 2 個(gè)存儲(chǔ)體的 SDRAM 模塊) |
| HZ16-1 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYM368035GS-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM368035S | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM368035S-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM39500S-80 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x(8+1) Fast Page Mode DRAM Module |
| HYM641005GS-50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
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