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參數(shù)資料
| 型號： | HYM364035S |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 4M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| 中文描述： | 4米× 36位江戶記憶體模組 |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 476K |
| 代理商： | HYM364035S |
Semiconductor Group
6
HYM 364035S/GS-60
4M
×
36-Bit EDO-Module
DC Characteristics
1)
(cont’d)
Capacitance
T
A
= 0 to 70 C,
V
CC
= 5 V
±
10 %,
f
= 1 MHz
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Test
Condition
min.
max.
Average
V
CC
supply current
during hyper page mode (EDO)
(RAS =
V
IL
, CAS, address cycling,
t
PC
=
t
PC
min)
-60 ns version
I
CC4
–
660
mA
2),3),4)
Standby
V
CC
supply current
(RAS = CAS =
V
CC
– 0.2 V)
Average
V
CC
supply current
during CAS-before-RAS refresh mode
(RAS, CAS cycling,
t
RC
=
t
RC
min)
I
CC5
–
12
mA
1)
-60 ns version
I
CC6
–
1320
mA
2),4)
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
min.
max.
Input capacitance (A0 to A10)
C
I1
C
I2
C
I3
C
I4
C
IO1
–
90
pF
Input capacitance (RAS0, RAS2)
–
45
pF
Input capacitance (CAS0 - CAS3)
–
40
pF
Input capacitance (WE)
–
90
pF
I/O capacitance(DQ0-DQ35)
–
20
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYM364035S-60 | 4M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM364035GS-60 | 4M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM368020GS-60 | 8M x 36-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM368020S | 8M x 36-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM368020S-60 | 8M x 36-Bit Dynamic RAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYM364035S-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM365120S-80 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 Fast Page Mode DRAM Module |
| HYM368020GS-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 36-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM368020GS-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 Fast Page Mode DRAM Module |
| HYM368020S | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 36-Bit Dynamic RAM Module |
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