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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYM321160GS-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| 中文描述： | 1M X 32 FAST PAGE DRAM MODULE, 60 ns, SMA72 |
| 封裝： | SIMM-72 |
| 文件頁數(shù)： | 6/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 126K |
| 代理商： | HYM321160GS-60 |
Semiconductor Group
546
HYM 321160S/GS-60/-70
1M x 32-Bit
DC Characteristics
(cont’d)
1)
Capacitance
T
A
= 0 to 70 C;
V
CC
= 5 V
±
10 %;
f
= 1 MHz
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Test
Condition
min.
max.
Average
V
CC
supply current during fast
page mode:
-60 version
-70 version
(RAS =
V
IL,
CAS, address cycling
t
PC
=
t
PC
min.)
Standby
V
CC
supply current
(RAS = CAS =
V
CC
– 0.2 V)
Average
V
CC
supply current during
CAS-before-RAS refresh mode:
I
CC4
–
–
560
560
mA
mA
2), 3)
I
CC5
–
8
mA
–
-60 version
-70 version
(RAS, CAS cycling
, t
RC
=
t
RC
min.)
I
CC6
–
–
880
800
mA
mA
1)
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
min.
max.
Input capacitance (A0 to A9)
C
I1
C
I2
C
I3
C
I4
C
IO1
–
70
pF
Input capacitance (RAS0, RAS2)
–
35
pF
Input capacitance (CAS0-CAS3)
–
35
pF
Input capacitance (WE)
–
45
pF
I/O capacitance (DQ0-DQ31)
–
20
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYM321160S-60 | 1M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM321160GS-70 | 1M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM321160S | 1M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM321160S-70 | 1M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM322005S-60 | 2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYM321160GS-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM321160S | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM321160S-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM321160S-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM322000GS-50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 Fast Page Mode DRAM Module |
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