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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYE18P32161AC-70 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 32M Asynchronous/Page CellularRAM |
| 中文描述： | 32M的異步/頁(yè)的CellularRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 32/33頁(yè) |
| 文件大小： | 641K |
| 代理商： | HYE18P32161AC-70 |
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HYE18P32161AC(-/L)70/85
32M Asynch/Page CellularRAM
Appendix B: S/W Register Entry Mode (“4-cycle method”)
Data Sheet
32
V2.0, 2003-12-16
Figure 21
RCR Mapping in S/W Register Entry
PASR
refreshed memory area
D2
D1
D0
Partial Array Self Refresh
0
0
1
0
1
0
D0
entire memory array (def.)
0
0
0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D15
TCSR
PM
0
0
max. case temp.
D5
Temperature-Compensated
Self-Refresh
1
+85°C (def.)
+70°C
+45°C
+15°C
0
1
0
D6
1
0
0
1
DQ<15:0>
Control Register
power down
Deep Power Down Mode
disabled (def.)
X
D4
0
1
1
lower 1/2 of memory array
lower 1/4 of memory array
lower 1/8 of memory array
1
0
1
1
1
0
1
1
1
upper 1/2 of memory array
upper 1/4 of memory array
upper 1/8 of memory array
DPD*
0
zero
1
0
0
page mode
Page Mode Bit
disabled (def.)
enabled
0
1
D7
D15....D8, D3:
reserved, must be set to '0'.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYE25L256160AC-75 | SMP(M)PIN CONT,PCB REAR MNT |
| HYE25L256160AF-7.5 | BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
| HYE25L256160AC | 256-Mbit Mobile-RAM |
| HYE25L256160AC-8 | 256-Mbit Mobile-RAM |
| HYE25L256160AF | 256MBit Mobile-RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYE18P32161AC-85 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:32M Asynchronous/Page CellularRAM |
| HYE18P32161ACL70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:32M Asynchronous/Page CellularRAM |
| HYE18P32161ACL85 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:32M Asynchronous/Page CellularRAM |
| HYE25L128160AC-7.5 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
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