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參數(shù)資料
| 型號： | HYB514175BJ-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256k x 16-Bit EDO-DRAM |
| 中文描述： | 256K X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO40 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40 |
| 文件頁數(shù)： | 3/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 177K |
| 代理商： | HYB514175BJ-60 |
HYB 514175BJ-50/-55/-60
256k
×
16 EDO-DRAM
Semiconductor Group
3
1998-10-01
Pin Configuration
(top view)
P-SOJ-40-1
1
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3
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5
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A5
A4
A6
A7
OE
A8
UCAS
I/O11
I/O10
I/O9
I/O13
V
SS
I/O12
A0
A1
A2
A3
I/O3
I/O4
V
CC
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
N.C.
WE
RAS
N.C.
SPP02811
SS
V
CC
V
I/O16
I/O15
I/O14
SS
V
I/O1
I/O2
V
CC
19
20
N.C.
LCAS
N.C.
40
39
38
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB514175BJ-50 | 256k x 16-Bit EDO-DRAM |
| HYB 514400BJ-50 | 4M × 1-Bit Dynamic RAM(4M × 1位動態(tài)RAM) |
| HYB514400BJ-50 | Connector Cover; Leaded Process Compatible:No; Enclosure Color:Gray; For Use With:SB 120 Connector; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: Yes |
| HYB514400BJ-80 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB514400BT-60 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB514175BJL-50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 EDO Page Mode DRAM |
| HYB514175BJL-55 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 EDO Page Mode DRAM |
| HYB514175BJL-60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 EDO Page Mode DRAM |
| HYB514256AJL-60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| HYB514256AJL-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
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