參數(shù)資料
型號(hào): HYB514175BJ-60
廠商: SIEMENS A G
元件分類: DRAM
英文描述: 256k x 16-Bit EDO-DRAM
中文描述: 256K X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO40
封裝: 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40
文件頁(yè)數(shù): 18/22頁(yè)
文件大?。?/td> 177K
代理商: HYB514175BJ-60
HYB 514175BJ/BJL-50/-55/-60
256k
×
16 EDO-DRAM
Semiconductor Group
18
1998-10-01
CAS-Before-RAS Refresh Cycle
SPT03051
"H" or "L"
V
IL
IH
IH
IL
OL
OH
IL
(Outputs)
I/O
V
V
(Inputs)
OE
I/O
V
V
V
V
t
OFF
OEZ
t
t
CDD
ODD
t
IH
IL
IH
IH
IL
LCAS
WE
UCAS
V
V
V
RAS
V
V
WRP
CSR
t
t
CP
t
RPC
t
RP
t
t
WRH
t
CHR
Hi Z
RAS
t
RC
t
t
RPC
t
RP
CRP
t
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB514175BJ-50 256k x 16-Bit EDO-DRAM
HYB 514400BJ-50 4M × 1-Bit Dynamic RAM(4M × 1位動(dòng)態(tài)RAM)
HYB514400BJ-50 Connector Cover; Leaded Process Compatible:No; Enclosure Color:Gray; For Use With:SB 120 Connector; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: Yes
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HYB514400BT-60 1M x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 1M x 4-Bit Dynamic RAM
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參數(shù)描述
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