參數(shù)資料
型號(hào)： HYB3165405T-50
廠商： SIEMENS A G
元件分類： DRAM
英文描述： 16M x 4-Bit Dynamic RAM
中文描述： 16M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO34
文件頁(yè)數(shù)： 30/32頁(yè)
文件大?。?/td> 473K
代理商： HYB3165405T-50
Semiconductor Group
118
HYB3164(5)405J/T(L)-50/-60
16M x 4-DRAM
CAS-before-RAS Refresh Counter Test Cycle
t
CSR
t
ASR
t
ASC
t
CHR
t
CP
t
WRP
t
RAL
t
CAH
t
RSH
t
CAS
t
RP
t
RAS
t
RCS
t
CDD
t
CAC
t
AA
t
WRH
t
OEA
t
ODD
t
CLZ
t
DZC
t
DZO
t
OEZ
t
OFF
t
RWL
t
CWL
t
WCH
t
WCS
t
WRH
t
WRP
t
DS
t
DH
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VOH
VOL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
RAS
I/O
(Inputs)
OE
WE
Address
CAS
I/O
(Outputs)
I/O
(Outputs)
I/O
(Inputs)
WE
OE
Column
Row
Data Out
Data In
HI-Z
Read Cycle:
Write Cycle:
t
RRH
t
RCH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB3165405T-60 Wideband, Low-Distortion Fully Differential Amplifier 8-SOIC -40 to 85
HYB3164405ATL-50 16M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB3165405ATL-50 16M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB3164405ATL-60 16M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB3165405ATL-60 16M x 4-Bit Dynamic RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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