參數(shù)資料
型號(hào): HYB3165405T-50
廠(chǎng)商: SIEMENS A G
元件分類(lèi): DRAM
英文描述: 16M x 4-Bit Dynamic RAM
中文描述: 16M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO34
文件頁(yè)數(shù): 21/32頁(yè)
文件大小: 473K
代理商: HYB3165405T-50
Semiconductor Group
109
HYB3164(5)405J/T(L)-50/-60
16M x 4-DRAM
Hyper Page Mode (EDO) Early Write Cycle
t
RP
t
RSH
t
CAS
t
CAS
t
CP
t
CRP
t
RAL
t
CAH
t
CAH
t
ASC
t
CWL
t
WCS
t
WP
t
WCH
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
RAH
t
ASR
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
Column 1
Column 2
Row
Addr
Data In N
Data In 2
Data In 1
Column N
RAS
I/O (Input)
WE
Address
CAS
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
“H” or “L”
VOH
VOL
OE
t
RAS
t
CRP
t
ASC
t
CWL
t
WCS
t
WP
t
WCH
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CWL
t
WCS
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WP
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WCH
t
RWL
t
DH
t
DS
t
HPC
t
CAH
t
RAD
t
RHCP
t
ASC
WL8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB3165405T-60 Wideband, Low-Distortion Fully Differential Amplifier 8-SOIC -40 to 85
HYB3164405ATL-50 16M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB3165405ATL-50 16M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB3164405ATL-60 16M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB3165405ATL-60 16M x 4-Bit Dynamic RAM
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