參數(shù)資料
型號(hào): HYB3165405BTL-60
廠商: SIEMENS A G
元件分類: DRAM
英文描述: Wideband, Low Distortion Fully Differential Amplifier with Shutdown 8-SOIC -40 to 85
中文描述: 16M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO32
封裝: 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
文件頁(yè)數(shù): 6/32頁(yè)
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代理商: HYB3165405BTL-60
Semiconductor Group
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HYB3164(5)405J/T(L)-50/-60
16M x 4-DRAM
Block Diagram for HYB 3165405J/T(L)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB3165405T-50 16M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB3165405T-60 Wideband, Low-Distortion Fully Differential Amplifier 8-SOIC -40 to 85
HYB3164405ATL-50 16M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB3165405ATL-50 16M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB3164405ATL-60 16M x 4-Bit Dynamic RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB3165405J-50 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB3165405J-60 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB3165405T-50 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB3165405T-60 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB3165405TL-50 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16M x 4-Bit Dynamic RAM