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參數(shù)資料
| 型號： | HYB3165165BTL-50 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M x 16-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 4M X 16 EDO DRAM, 50 ns, PDSO50 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50 |
| 文件頁數(shù)： | 7/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 284K |
| 代理商： | HYB3165165BTL-50 |
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Semiconductor Group
7
HYB3164(5/6)165AT(L)-40/-50/-60
4M x 16 EDO-DRAM
Block Diagram for HYB3166165AT(L)
No. 2 Clock
Generator
Column
Address
Buffer(11)
Refresh
Controller
Refresh
Counter (11)
Address
Buffers(11)
Row
No. 1 Clock
Generator
&
Data in
Buffer
Data out
Buffer
Column
Decoder
Sense Amplifier
I/O Gating
Memory Array
2048x2048x16
Row
Decoder
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
WE
UCAS
LCAS
.
2048
2048
x16
.
RAS
11
11
16
I/O1
I
/O2
OE
11
11
16
16
11
I
/O16
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3166165BTL-50 | 4M x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB3164165AT | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-MSOP 0 to 70 |
| HYB3164165BT | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-MSOP 0 to 70 |
| HYB3165165ATL-50 | 4M x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165165ATL-60 | 4M x 16-Bit Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3165165BTL-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165165T-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165165T-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165165TL-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165165TL-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 16-Bit Dynamic RAM |
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