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參數(shù)資料
| 型號： | HYB3164400T-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 16M X 4 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO34 |
| 文件頁數(shù)： | 6/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 246K |
| 代理商： | HYB3164400T-60 |
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Semiconductor Group
6
HYB3164(5)400AJ/AT(L)-40/-50/-60
16M x 4-DRAM
Block Diagram for HYB 3164400AJ/AT(L)
No. 2 Clock
Generator
Column
Address
Buffer(11)
Refresh
Controller
Refresh
Counter (13)
Address
Buffers(13)
Row
No. 1 Clock
Generator
&
Data in
Buffer
Data out
Buffer
Column
Decoder
Sense Amplifier
I/O Gating
Memory Array
8192 x 2048 x 4
Row
Decoder
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
WE
CAS
8192
2048
x4
.
RAS
11
13
4
I/O1
I
/O2
OE
13
13
4
4
11
I/O4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3165400T-60 | 16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3164400AJ-60 | 16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165400AJ-60 | Bipolar Transistor; Collector Emitter Voltage, Vceo:75V; Power Dissipation, Pd:1.67W; DC Current Gain Min (hfe):120; C-E Breakdown Voltage:75V; Collector Current:1A; Transistor Polarity:NPN RoHS Compliant: Yes |
| HYB3164400AJ-40 | 16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165400AJ-40 | 16M x 4-Bit Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3164405AJ | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3164405AJ-40 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3164405AJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3164405AJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3164405AT-40 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16M x 4-Bit Dynamic RAM |
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