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參數(shù)資料
| 型號： | HYB3164400AT-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 16M X 4 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO32 |
| 文件頁數(shù)： | 11/26頁 |
| 文件大小： | 246K |
| 代理商： | HYB3164400AT-60 |
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Semiconductor Group
11
HYB3164(5)400AJ/AT(L)-40/-50/-60
16M x 4-DRAM
Fast Page Mode Read-Modify-Write
Cycle
Fast page mode read-write cycle
time
t
PRWC
60
–
71
–
80
–
ns
CAS precharge to WE
t
CPWD
40
–
48
–
55
–
ns
CAS-before-RAS Refresh Cycle
CAS setup time
t
CSR
t
CHR
t
RPC
t
WRP
5
–
5
–
5
–
ns
CAS hold time
5
–
5
–
10
–
ns
RAS to CAS precharge time
0
–
0
–
0
–
ns
Write to RAS precharge time
5
–
5
–
10
–
ns
Write hold time referenced to RAS
t
WRH
5
–
5
–
10
–
ns
Self Refresh Cycle (L-version only)
RAS pulse width
RAS precharge time
t
RASS
100k
75
–
–
100k
90
–
–
100k
110
–
–
ns
ns
17
t
RPS
17
CAS hold time
t
CHS
-50
–
-50
–
-50
–
ns
17
Test Mode Cycle
Write command setup time
t
WTS
5
–
5
–
5
–
ns
18
Write command hold time
t
WTH
5
–
5
–
5
–
ns
18
Capacitance
T
A
= 0 to 70 °C,
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V,
f
= 1 MHz
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
min.
max.
Input capacitance (A0 to A11,A12)
C
I1
C
I2
C
IO
–
5
pF
Input capacitance (RAS, CAS, WE, OE)
–
7
pF
I/O capacitance (I/O1-I/O4)
–
7
pF
AC Characteristics
(cont’d)
(note: 6,7,8)
AC64-2F
T
A
= 0 to 70 °C,
V
CC
= 3.3
±
0.3V
Parameter
Symbol
-40
-50
-60
Unit
Note
min.
max. min.
max. min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3165400AT-60 | 16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3164400T-60 | 16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165400T-60 | 16M x 4-Bit Dynamic RAM |
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參數(shù)描述 |
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