參數(shù)資料
型號： HYB3164165T-60
廠商： SIEMENS A G
元件分類： DRAM
英文描述： 4M x 16-Bit Dynamic RAM
中文描述： 4M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO54
文件頁數(shù)： 25/30頁
文件大?。?/td> 391K
代理商： HYB3164165T-60
Semiconductor Group
55
HYB3164(5)165T(L)-50/-60
4M x 16 EDO-DRAM
Hidden Refresh Read Cycle
RAS
I/O
(Outputs)
I/O
(Inputs)
OE
WE
Address
UCAS
LCAS
t
RC
t
RC
t
RAS
t
RAS
t
RP
t
RP
t
CRP
t
CHR
t
RAD
t
CAH
t
ASC
t
RAH
t
ASR
t
ASR
t
RCS
t
RRH
t
AA
t
OEA
t
DZC
t
DZO
t
CAC
t
RAC
t
CLZ
t
OEZ
t
OFF
t
ODD
t
CDD
t
RCD
t
RSH
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
t
WRP
t
WRH
“H” or “L”
Valid Data Out
Row
Column
Row
HI-Z
VOH
VOL
WL11
相關PDF資料
PDF描述
HYB3164165T High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-MSOP 0 to 70
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HYB3164400J 16M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB3164405J-50 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Solder; Body Material:Aluminum; Series:PT06; Number of Contacts:31; Connector Shell Size:24; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Straight Plug; Body Style:Straight
HYB3165405J-50 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Solder; Body Material:Aluminum; Series:PT06; Number of Contacts:31; Connector Shell Size:24; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Straight Plug; Body Style:Straight
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參數(shù)描述
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