參數(shù)資料
型號： HYB3164165T-60
廠商： SIEMENS A G
元件分類： DRAM
英文描述： 4M x 16-Bit Dynamic RAM
中文描述： 4M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO54
文件頁數(shù)： 20/30頁
文件大?。?/td> 391K
代理商： HYB3164165T-60
Semiconductor Group
50
HYB3164(5)165T(L)-50/-60
4M x 16 EDO-DRAM
Hyper Page Mode (EDO) Early Write Cycle
t
RP
t
RSH
t
CAS
t
CAS
t
CP
t
CRP
t
RAL
t
CAH
t
CAH
t
ASC
t
CWL
t
WCS
t
WP
t
WCH
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
RAH
t
ASR
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
Column 1
Column 2
Row
Addr
Data In N
Data In 2
Data In 1
Column N
RAS
I/O (Input)
WE
Address
UCAS
LCAS
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
“H” or “L”
VOH
VOL
OE
t
RAS
t
CRP
t
ASC
t
CWL
t
WCS
t
WP
t
WCH
t
CWL
t
WCS
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WP
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WCH
t
RWL
t
DH
t
DS
t
HPC
t
CAH
t
RAD
t
RHCP
t
ASC
WL8
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PDF描述
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HYB3164405J-50 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Solder; Body Material:Aluminum; Series:PT06; Number of Contacts:31; Connector Shell Size:24; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Straight Plug; Body Style:Straight
HYB3165405J-50 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Solder; Body Material:Aluminum; Series:PT06; Number of Contacts:31; Connector Shell Size:24; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Straight Plug; Body Style:Straight
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