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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB3164(5)400ATL |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 元件分類： | 運(yùn)動(dòng)控制電子 |
| 英文描述： | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-MSOP-PowerPAD -40 to 85 |
| 中文描述： | 16米x 4位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 |
| 文件頁數(shù)： | 10/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 246K |
| 代理商： | HYB3164(5)400ATL |
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Semiconductor Group
10
HYB3164(5)400AJ/AT(L)-40/-50/-60
16M x 4-DRAM
Output buffer turn-off delay
t
OFF
t
OEZ
–
10
–
13
–
15
ns
12
Output buffer turn-off delay from
OE
–
10
–
13
–
15
ns
12
Data to OE low delay
t
DZO
t
CDD
t
ODD
0
–
0
–
0
–
ns
13
CAS high to data delay
10
–
13
–
15
–
ns
14
OE high to data delay
10
–
13
–
15
–
ns
14
Write Cycle
Write command hold time
t
WCH
t
WP
t
WCS
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
t
DZC
5
–
7
–
10
–
ns
Write command pulse width
5
–
7
–
10
–
ns
Write command setup time
0
–
0
–
0
–
ns
15
Write command to RAS lead time
10
–
13
–
15
–
ns
Write command to CAS lead time
10
–
13
–
15
–
ns
Data setup time
Data hold time
0
5
–
–
0
7
–
–
0
10
–
–
ns
ns
16
16
CAS delay time from Din
0
–
0
–
0
–
ns
13
Read-Modify-Write Cycle
Read-write cycle time
t
RWC
t
RWD
t
CWD
105
–
126
–
150
–
ns
RAS to WE delay time
55
–
68
–
80
–
ns
15
CAS to WE delay time
25
–
31
–
35
–
ns
15
Column address to WE delay time
t
AWD
OE command hold time
35
–
43
–
50
–
ns
15
t
OEH
5
–
7
–
10
–
ns
Fast Page Mode Cycle
Fast page mode cycle time
t
PC
t
CPA
t
RAS
t
RHPC
30
–
35
–
40
–
ns
Access time from CAS precharge
–
25
–
30
–
35
ns
8
RAS pulse width
40
200k
50
200k 60
200k
ns
CAS precharge to RAS Delay
25
–
30
–
35
–
ns
AC Characteristics
(cont’d)
(note: 6,7,8)
AC64-2F
T
A
= 0 to 70 °C,
V
CC
= 3.3
±
0.3V
Parameter
Symbol
-40
-50
-60
Unit
Note
min.
max. min.
max. min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| HYB3165400AT-60 | 16M x 4-Bit Dynamic RAM |
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| HYB3165400T-60 | 16M x 4-Bit Dynamic RAM |
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參數(shù)描述 |
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