參數資料
型號： HYB314171BJL-50
廠商： SIEMENS A G
元件分類： DRAM
英文描述： 3.3V 256 K x 16-Bit Dynamic RAM 3.3V Low Power 256 K x 16-Bit Dynamic RAM with Self Refresh
中文描述： 256K X 16 FAST PAGE DRAM, 50 ns, PDSO40
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40
文件頁數： 22/24頁
文件大小： 1339K
代理商： HYB314171BJL-50
HYB 314171BJ/BJL-50/-60/-70
3.3V 256 K x 16-DRAM
Semiconductor Group
22
Hidden Refresh Cycle (Early Write)
相關PDF資料
PDF描述
HYB314171BJL-60 3.3V 256 K x 16-Bit Dynamic RAM 3.3V Low Power 256 K x 16-Bit Dynamic RAM with Self Refresh
HYB314171BJL-70 3.3V 256 K x 16-Bit Dynamic RAM 3.3V Low Power 256 K x 16-Bit Dynamic RAM with Self Refresh
HYB5116160BSJ-50 1M x 16-Bit Dynamic RAM
HYB5116160BSJ-60 1M x 16-Bit Dynamic RAM
HYB5116160BSJ-70 1M x 16-Bit Dynamic RAM
相關代理商/技術參數
參數描述
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HYB314171BJL-70 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 256 K x 16-Bit Dynamic RAM 3.3V Low Power 256 K x 16-Bit Dynamic RAM with Self Refresh
HYB314175BJ-50 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh
HYB314175BJ-50- 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh
HYB314175BJ-55 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh
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