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參數(shù)資料
| 型號： | HYB3118165BSJ-50 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| 中文描述： | 1M X 16 EDO DRAM, 50 ns, PDSO42 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42 |
| 文件頁數(shù)： | 17/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 192K |
| 代理商： | HYB3118165BSJ-50 |
HYB 5118165BSJ/BST-50/-60
HYB 3118165BSJ/BST-50/-60
1M
×
16 EDO-DRAM
Semiconductor Group
17
1998-10-01
Hyper Page Mode (EDO) Late Write and Read-Modify-Write Cycle
SPT03049
"H" or "L"
IL
Data
RAC
(Outputs)
I/O
V
OH
OL
V
OUT
Data
OEZ
t
I/O
(Inputs)
OE
CLZ
t
V
IL
V
IH
DZC
t
t
CAC
t
DS
DZO
t
ODD
t
V
IL
IH
V
t
AWD
t
AA
t
OEA
t
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OEH
AA
DS
OEZ
AA
OUT
Data
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OUT
Data
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ODD
IN
DH
t
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DZC
CPA
t
t
IN
Data
DH
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CAC
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CPA
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CLZ
t
WP
t
t
OEA
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AWD
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CLZ
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t
WP
OEA
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AWD
t
IN
Data
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t
DH
t
ODD
t
WP
t
OEH
t
Address
WE
LCAS
UCAS
V
RCS
V
V
IH
t
Row
V
IL
IH
t
CWD
t
CWL
RWD
t
Column
IL
V
ASR
t
t
RAH
ASC
t
RAD
t
IH
V
RCD
t
t
CAH
CAS
t
RAS
IL
V
V
IH
t
CSH
CWD
CWL
t
CWD
t
Column
CPWD
t
t
t
CPWD
Column
PRWC
ASC
t
CAH
t
t
CP
CAS
t
t
ASC
t
t
CAH
CWL
t
RWL
t
Row
CRP
t
RAL
RSH
CAS
t
t
t
ASR
t
RAS
t
t
RP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB 514100BJ-60 | 4M × 1-Bit Dynamic RAM(4M × 1位動態(tài)RAM) |
| HYB514100BJ-50 | 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
| HYB 514100BJ-50 | 4M × 1-Bit Dynamic RAM(4M × 1位動態(tài)RAM) |
| HYB514100BJ-50- | 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
| HYB514100BJ-60 | 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3118165BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB3118165BST-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB3118165BST-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB314100BJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
| HYB314100BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
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