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參數資料
| 型號： | HYB3118165BSJ-50 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| 中文描述： | 1M X 16 EDO DRAM, 50 ns, PDSO42 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42 |
| 文件頁數： | 16/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 192K |
| 代理商： | HYB3118165BSJ-50 |
HYB 5118165BSJ/BST-50/-60
HYB 3118165BSJ/BST-50/-60
1M
×
16 EDO-DRAM
Semiconductor Group
16
1998-10-01
Hyper Page Mode (EDO) Early Write Cycle
SPT03057
"H" or "L"
Column 2
DS
t
IH
V
I/O
(Input)
OE
V
V
IL
IH
V
IL
WE
V
V
IL
IH
Data IN 1
t
DS
WCS
t
t
DH
t
WP
CWL
t
t
WCH
t
t
WCS
LCAS
Address
V
IL
V
IH
IL
V
UCAS
RAS
V
IH
IL
V
V
IH
t
Column 1
t
ASC
Address
Row
ASR
t
RAD
t
RAH
t
t
CRP
t
RCD
t
CSH
CAH
ASC
t
HPC
CAS
t
t
CP
t
Data IN N
DS
Data IN 2
t
DH
t
CWL
WCH
WP
t
t
t
t
WCS
t
DH
t
t
WCH
WP
t
CWL
CRP
RP
t
Column N
CAH
t
ASC
t
t
CAS
RWL
t
t
CAH
t
RAL
RSH
t
CAS
t
RHCP
t
t
RAS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB 514100BJ-60 | 4M × 1-Bit Dynamic RAM(4M × 1位動態(tài)RAM) |
| HYB514100BJ-50 | 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
| HYB 514100BJ-50 | 4M × 1-Bit Dynamic RAM(4M × 1位動態(tài)RAM) |
| HYB514100BJ-50- | 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
| HYB514100BJ-60 | 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HYB3118165BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB3118165BST-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB3118165BST-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB314100BJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
| HYB314100BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
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