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參數(shù)資料
| 型號： | HYB3117800BSJ-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 8-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 2M X 8 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO28 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
| 文件頁數(shù)： | 9/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 260K |
| 代理商： | HYB3117800BSJ-60 |
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Semiconductor Group
9
HYB 3117800BSJ-50/-60/-70
2M x 8-DRAM
Fast Page Mode Read-Modify-Write Cycle
Fast page mode read-write cycle
time
t
PRWC
71
–
80
–
95
–
ns
CAS precharge to WE
t
CPWD
48
–
55
–
65
–
ns
CAS-before-RAS Refresh Cycle
CAS setup time
t
CSR
t
CHR
t
RPC
t
WRP
10
–
10
–
10
–
ns
CAS hold time
10
–
10
–
10
–
ns
RAS to CAS precharge time
5
–
5
–
5
–
ns
Write to RAS precharge time
10
–
10
–
10
–
ns
Write hold time referenced to RAS
t
WRH
10
–
10
–
10
–
ns
CAS-before-RAS Counter Test Cycle
CAS precharge time
t
CPT
35
–
40
–
40
–
ns
Test Mode
CAS hold time
t
CHRT
t
WTS
t
WTH
30
–
30
–
30
–
ns
Write command setup time
10
–
10
–
10
–
ns
Write command hold time
10
–
10
–
10
–
ns
Self Refresh Cycle
RAS pulse width
t
RASS
t
RPS
t
CHS
100k
–
100k
–
100k
–
ns
17
RAS precharge time
95
–
110
–
130
–
ns
17
CAS hold time
-50
–
-50
–
-50
–
ns
17
AC Characteristics
(cont’d)
5)6)
16F
T
A
= 0 to 70 °C,
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 5 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Note
-50
-60
-70
min.
max. min.
max. min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3117800BSJL-50 | x8 Fast Page Mode DRAM |
| HYB3117800BSJL-60 | x8 Fast Page Mode DRAM |
| HYB3117800BSJL-70 | x8 Fast Page Mode DRAM |
| HYB3117805BSJ-70 | 2M x 8-Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| HYB314400BJL-50 | x4 Fast Page Mode DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3117800BSJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8-Bit Dynamic RAM |
| HYB3117800BSJL-50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Fast Page Mode DRAM |
| HYB3117800BSJL-60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Fast Page Mode DRAM |
| HYB3117800BSJL-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Fast Page Mode DRAM |
| HYB3117805BSJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8-Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
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