參數(shù)資料
型號(hào)： HYB3117405BJ-60
廠商： SIEMENS A G
元件分類： DRAM
英文描述： BCD?to?Seven?Segment Decoder IC; Output Current:250uA; Supply Current:3.5A; Supply Voltage:7V
中文描述： 4M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO24
封裝： 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24
文件頁(yè)數(shù)： 4/26頁(yè)
文件大?。?/td> 285K
代理商： HYB3117405BJ-60
Semiconductor Group
4
HYB 3116(7)405BJ/BT(L) -50/-60/-70
3.3V 4Mx4-DRAM
Block Diagram for HYB3117405
No. 2 Clock
Generator
Column
Address
Buffer(11)
Refresh
Controller
Refresh
Counter (11)
Address
Buffers(11)
Row
No. 1 Clock
Generator
&
Data in
Buffer
Data out
Buffer
Column
Decoder
Sense Amplifier
I/O Gating
Memory Array
2048x2048x4
Row
Decoder
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
WE
CAS
2048
2048
x4
.
RAS
11
11
11
4
4
4
I/O1 I/O2 I/O3 I/O4
OE
11
11
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB3116405BTL-60 High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-SOIC 0 to 70
HYB3116405BTL-70 High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-SOIC -40 to 85
HYB3117405BJ-50 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
HYB3116405BJ-50 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
HYB3117800BSJ-50 2M x 8-Bit Dynamic RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB3117405BJ-70 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
HYB3117405BT-50 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh
HYB3117405BT-60 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh
HYB3117405BT-70 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
HYB3117800BSJ-50 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8-Bit Dynamic RAM
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*