參數(shù)資料
型號： HYB3117405BJ-60
廠商： SIEMENS A G
元件分類： DRAM
英文描述： BCD?to?Seven?Segment Decoder IC; Output Current:250uA; Supply Current:3.5A; Supply Voltage:7V
中文描述： 4M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO24
封裝： 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24
文件頁數(shù)： 17/26頁
文件大?。?/td> 285K
代理商： HYB3117405BJ-60
Semiconductor Group
17
HYB 3116(7)405BJ/BT(L) -50/-60/-70
3.3V 4Mx4-DRAM
Hyper Page Mode (EDO) Early Write Cycle
t
RP
t
RSH
t
CAS
t
CAS
t
CP
t
CRP
t
RAL
t
CAH
t
CAH
t
ASC
t
CWL
t
WCS
t
WP
t
WCH
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
RAH
t
ASR
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
Column 1
Column 2
Row
Addr
Data In N
Data In 2
Data In 1
Column N
RAS
I/O (Input)
WE
Address
CAS
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
“H” or “L”
VOH
VOL
OE
t
RAS
t
CRP
t
ASC
t
CWL
t
WCS
t
WP
t
WCH
t
CWL
t
WCS
t
WP
t
WCH
t
RWL
t
DH
t
DS
t
HPC
t
CAH
t
RAD
t
RHCP
t
ASC
WL8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB3116405BTL-60 High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-SOIC 0 to 70
HYB3116405BTL-70 High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-SOIC -40 to 85
HYB3117405BJ-50 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
HYB3116405BJ-50 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
HYB3117800BSJ-50 2M x 8-Bit Dynamic RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB3117405BJ-70 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
HYB3117405BT-50 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh
HYB3117405BT-60 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh
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