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參數(shù)資料
| 型號： | HYB3116405BTL-70 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-SOIC -40 to 85 |
| 中文描述： | 4M X 4 EDO DRAM, 70 ns, PDSO24 |
| 文件頁數(shù)： | 16/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 285K |
| 代理商： | HYB3116405BTL-70 |
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Semiconductor Group
16
HYB 3116(7)405BJ/BT(L) -50/-60/-70
3.3V 4Mx4-DRAM
Hyper Page Mode (EDO) Read Cycle
t
RP
t
RSH
t
CAS
t
CAS
t
CP
t
CRP
t
RAL
t
CAH
t
CAH
t
ASC
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
RAH
t
ASR
Column 2
Row
Data Out
1
RAS
I/O
(Output)
WE
Address
CAS
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
“H” or “L”
VOH
VOL
OE
t
RAS
t
CRP
t
ASC
t
HPC
t
CAH
t
RAD
t
RHCP
t
ASC
t
RCS
t
RRH
t
RCH
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
CLZ
t
OEA
t
OES
t
COH
t
CAC
t
AA
t
CPA
Data Out
Column N
Column 1
Data Out
N
t
OEZ
t
OFF
t
CAC
t
AA
t
CPA
2
t
COH
WL5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3117405BJ-50 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BJ-50 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3117800BSJ-50 | 2M x 8-Bit Dynamic RAM |
| HYB3117800BSJ-70 | 2M x 8-Bit Dynamic RAM |
| HYB3117800BSJ-60 | 2M x 8-Bit Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3117400BJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3117400BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB3117400BJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3117400BT-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3117400BT-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
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