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參數(shù)資料
| 型號： | HYB3116405BTL-70 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-SOIC -40 to 85 |
| 中文描述： | 4M X 4 EDO DRAM, 70 ns, PDSO24 |
| 文件頁數(shù)： | 15/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 285K |
| 代理商： | HYB3116405BTL-70 |
Semiconductor Group
15
HYB 3116(7)405BJ/BT(L) -50/-60/-70
3.3V 4Mx4-DRAM
Read-Write (Read-Modify-Write) Cycle
Row
Row
t
CSH
t
CAS
t
CRP
t
RWC
t
AWD
t
ASR
t
RP
t
RAS
t
RAH
t
CAH
I/O
(Outputs)
VOH
VOL
VIH
VIL
VIH
VIL
I/O
(Inputs)
OE
WE
VIH
VIL
t
ASR
Column
t
RCD
t
DH
t
RSH
t
RAD
t
CWD
t
OEH
t
RWD
t
RWL
t
WP
t
CWL
t
CLZ
t
RCS
t
AA
t
OEA
t
DS
t
DZC
t
DZO
t
ODD
t
CAC
t
OEZ
Valid
Data in
Data
Out
t
RAC
“H” or “L”
t
ASC
VIH
VIL
VIH
VIL
RAS
CAS
Address
VIH
VIL
WL4
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3117405BJ-50 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BJ-50 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3117800BSJ-50 | 2M x 8-Bit Dynamic RAM |
| HYB3117800BSJ-70 | 2M x 8-Bit Dynamic RAM |
| HYB3117800BSJ-60 | 2M x 8-Bit Dynamic RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3117400BJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3117400BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB3117400BJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3117400BT-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3117400BT-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
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