- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370786 > HYB3116405BJBTL-50- (SIEMENS AG) 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB3116405BJBTL-50- |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| 中文描述： | 3.3 4米× 4位江戶動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 |
| 文件頁數(shù)： | 2/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 285K |
| 代理商： | HYB3116405BJBTL-50- |
第1頁當(dāng)前第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁
Semiconductor Group
2
HYB 3116(7)405BJ/BT(L) -50/-60/-70
3.3V 4Mx4-DRAM
The HYB 3116(7)405BJ/BT(L) is a 16MBit dynamic RAM organized as 4194304 words by 4-bits.
The HYB 3116(7)405BJ/BT(L) utilizes a submicron CMOS silicon gate process technology, as well
as advanced circuit techniques to provide wide operating margins, both internally and for the system
user. Multiplexed address inputs permit the HYB 3116(7)405BJ/BT(L) to be packaged in a standard
SOJ 26/24 300 mil or TSOPII-26/24 300 mil wide plastic package. These packages provide high
system bit densities and are compatible with commonly used automatic testing and insertion
equipment. System-oriented features include single + 3.3 V (± 0.3 V) power supply, direct
interfacing with high-performance logic device families.The HYB3116405BTL parts have a very low
power sleep mode“ supported by Self Refresh.
Ordering Information
Type
Ordering Code
Package
Descriptions
HYB 3117405BJ-50
Q67100-Q1119
P-SOJ-26/24-1 300 mil
DRAM (access time 50 ns)
HYB 3117405BJ-60
Q67100-Q1120
P-SOJ-26/24-1 300 mil
DRAM (access time 60 ns)
HYB 3117405BJ-70
P-SOJ-26/24-1 300 mil
DRAM (access time 70 ns)
HYB 3117405BT-50
Q67100-Q1135
P-TSOPII-26/24-1 300 mil
DRAM (access time 50 ns)
HYB 3117405BT-60
Q67100-Q1136
P-TSOPII-26/24-1 300 mil
DRAM (access time 60 ns)
Q67100-Q1184
P-TSOPII-26/24-1 300 mil
DRAM (access time 70 ns)
HYB 3116405BJ-50
Q67100-Q1127
P-SOJ-26/24-1 300 mil
DRAM (access time 50 ns)
HYB 3116405BJ-60
Q67100-Q1128
P-SOJ-26/24-1 300 mil
DRAM (access time 60 ns)
HYB 3116405BJ-70
P-SOJ-26/24-1 300 mil
DRAM (access time 70 ns)
HYB 3116405BT-50
Q67100-Q1143
P-TSOPII-26/24-1 300 mil
DRAM (access time 50 ns)
HYB 3116405BT-60
Q67100-Q1144
P-TSOPII-26/24-1 300 mil
DRAM (access time 60 ns)
HYB 3116405BT-70
Q67100-Q1186
P-TSOPII-26/24-1 300 mil
DRAM (access time 70 ns)
HYB 3116405BTL-50
on request
P-TSOPII-26/24-1 300 mil
LP-DRAM (access time 50 ns)
HYB 3116405BTL-60
on request
P-TSOPII-26/24-1 300 mil
LP-DRAM (access time 60 ns)
HYB 3116405BTL-70
on request
P-TSOPII-26/24-1 300 mil
LP-DRAM (access time 70 ns)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3116405BTL-50 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BJ-60 | RES 100K-OHM 1% 0.063W 200PPM THICK-FILM SMD-0402 10K/REEL-7IN-PA |
| HYB3117405BJ-70 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BJ-70 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3117405BJ-60 | BCD?to?Seven?Segment Decoder IC; Output Current:250uA; Supply Current:3.5A; Supply Voltage:7V |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3116405BT-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BT-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BT-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BTL-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BTL-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。