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參數(shù)資料
| 型號： | HYB3116405BJ-70 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| 中文描述： | 4M X 4 EDO DRAM, 70 ns, PDSO24 |
| 文件頁數(shù)： | 18/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 285K |
| 代理商： | HYB3116405BJ-70 |
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Semiconductor Group
18
HYB 3116(7)405BJ/BT(L) -50/-60/-70
3.3V 4Mx4-DRAM
Hyper Page Mode (EDO) Late Write and Read-Modify-Write Cycle
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WL17
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| HYB3117405BJ-50 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BJ-50 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| HYB3116405BT-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BT-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BT-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BTL-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
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