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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB3116405BJ-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | RES 100K-OHM 1% 0.063W 200PPM THICK-FILM SMD-0402 10K/REEL-7IN-PA |
| 中文描述： | 4M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO24 |
| 封裝： | 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24 |
| 文件頁數(shù)： | 23/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 285K |
| 代理商： | HYB3116405BJ-60 |
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Semiconductor Group
23
HYB 3116(7)405BJ/BT(L) -50/-60/-70
3.3V 4Mx4-DRAM
Hidden Refresh Cycle (Early Write)
RAS
I/O
(Output)
I/O
(Input)
WE
Address
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
CAS
VIH
VIL
VIH
VIL
“H” or “L”
t
RC
t
RAS
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RCD
t
RSH
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RAD
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WCS
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WP
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ASR
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t
DH
t
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CRP
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CHR
t
RP
t
RAS
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RC
t
RP
t
ASC
Row
Row
Valid Data
HI-Z
Column
VOH
VOL
t
WRP
t
WRH
WL12
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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