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參數(shù)資料
| 型號： | HYB3116405BJ-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | RES 100K-OHM 1% 0.063W 200PPM THICK-FILM SMD-0402 10K/REEL-7IN-PA |
| 中文描述： | 4M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO24 |
| 封裝： | 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24 |
| 文件頁數(shù)： | 21/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 285K |
| 代理商： | HYB3116405BJ-60 |
Semiconductor Group
21
HYB 3116(7)405BJ/BT(L) -50/-60/-70
3.3V 4Mx4-DRAM
CAS-Before-RAS Refresh Cycle
t
RP
t
RAS
t
RP
t
RC
t
CRP
t
CP
t
RPC
t
CHR
t
WRH
t
WRP
t
CSR
t
RPC
t
OFF
t
OEZ
t
CDD
t
ODD
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
HI-Z
“H” or “L”
RAS
I/O
(Outputs)
I/O
(Inputs)
OE
WE
CAS
VOH
VOL
WL10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3117405BJ-70 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BJ-70 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3117405BJ-60 | BCD?to?Seven?Segment Decoder IC; Output Current:250uA; Supply Current:3.5A; Supply Voltage:7V |
| HYB3116405BTL-60 | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-SOIC 0 to 70 |
| HYB3116405BTL-70 | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-SOIC -40 to 85 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| HYB3116405BT-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BT-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BT-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
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